创维半导体设计大厦 为深圳特区成立30周年十大产业项目之一,于2010年8月24日奠基。大厦位于深圳市高新技术园南区核心区域,占地面积17025.5平方米,总建设面积124533.62平方米,计容建筑面积为84931.04平方米,建筑楼高99.8米,长171米;其中东、西座地上24层,地下3层;裙楼连接东、西两座塔楼,地上5层,地下3层;办公标准楼层柱距为8.4米。
楼层 | 面积 | 格局 | |
东座 | 3层 | 1280 | / |
东座 | 12层 | 3881.29 | / |
西座 | 2层 | 756.27 | 12+1 |
西座 | 13层 | 1701.74 | / |
西座 | 13层 | 1576.63 | / |
西座 | 7层 | 559.49 | 3+1 |
东座 | 11层 | 530 | 5+1 |
西座 | 6层 | 512.57 | 6+1 |
西座 | 3层 | 1510.17 | / |
东座 | 11层 | 456 | 3+1 |
西座 | 8层 | 396 | 6+1 |
东座 | 7层 | 1348 | / |
西座 | 3层 | 337.53 | / |
东座 | 11层 | 333.27 | / |
东座 | 15层 | 1316.8 | / |
西座 | 6层 | 291.26 | 7+1 |
东座 | 11层 | 291 | 5+1 |
西座 | 4层 | 275.4 | 3+1 |
东座 | 11层 | 275 | 3+1 |
东座 | 11层 | 271 | 2+1 |
东座 | 11层 | 239 | 5+1 |
西座 | 6层 | 226.31 | 3+1 |
东座 | 11层 | 211 | 2+1 |
西座 | 4层 | 206.73 | 3+1 |
东座 | 11层 | 196 | 2+1 |
西座 | 7层 | 181.09 | 1+1 |
东座 | 7层 | 1810 | / |
西座 | 3层 | 177.94 | / |
西座 | 6层 | 168 | 3+1 |
东座 | 2层 | 150 | 2+1 |
东座 | 11层 | 140 | / |
西座 | 6层 | 113 | 2+1 |
东座 | 2层 | 100 | 1+1 |
东座 | 2层 | 80 | / |